货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.429241 | ¥5.43 |
10 | ¥4.397685 | ¥43.98 |
100 | ¥2.996941 | ¥299.69 |
500 | ¥2.247164 | ¥1123.58 |
1000 | ¥1.685373 | ¥1685.37 |
2000 | ¥1.545026 | ¥3090.05 |
5000 | ¥1.451373 | ¥7256.86 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 650 mA
漏源电阻 760 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 950 mV
栅极电荷 700 pC
耗散功率 490 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23.4 ns
上升时间 7.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 80.6 ns
典型接通延迟时间 10.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 mg
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0DMN3900UFA-7B
型号:DMN3900UFA-7B
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.429241 |
10+: | ¥4.397685 |
100+: | ¥2.996941 |
500+: | ¥2.247164 |
1000+: | ¥1.685373 |
2000+: | ¥1.545026 |
5000+: | ¥1.451373 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.43