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DMN3070SSN-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN3070SSN-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
渠道:
国内现货
自营
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:3000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
3000 0.767065 2301.20
6000 0.720578 4323.47
15000 0.674091 10111.36
30000 0.618265 18547.95
75000 0.595057 44629.27

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 4.2 A

漏源电阻 24 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.1 V

栅极电荷 13.2 nC

耗散功率 780 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 4.1 ns

上升时间 20.1 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 4.4 ns

典型接通延迟时间 4.3 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 8 mg

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DMN3070SSN-7

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型号:DMN3070SSN-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

3000+: ¥0.767065
6000+: ¥0.720578
15000+: ¥0.674091
30000+: ¥0.618265
75000+: ¥0.595057

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