货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.767065 | ¥2301.20 |
6000 | ¥0.720578 | ¥4323.47 |
15000 | ¥0.674091 | ¥10111.36 |
30000 | ¥0.618265 | ¥18547.95 |
75000 | ¥0.595057 | ¥44629.27 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.2 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 13.2 nC
耗散功率 780 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.1 ns
上升时间 20.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 4.4 ns
典型接通延迟时间 4.3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN3070SSN-7
型号:DMN3070SSN-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.767065 |
6000+: | ¥0.720578 |
15000+: | ¥0.674091 |
30000+: | ¥0.618265 |
75000+: | ¥0.595057 |
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