货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥14.586226 | ¥14.59 |
10 | ¥13.078158 | ¥130.78 |
100 | ¥10.200469 | ¥1020.05 |
500 | ¥8.426636 | ¥4213.32 |
1000 | ¥6.652555 | ¥6652.56 |
2000 | ¥6.209036 | ¥12418.07 |
制造商 Infineon
商标名 StrongIRFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 2.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.35 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 3.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 83 S
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 21 ns
高度 0.83 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRFH8311TRPBF SP001564136
单位重量 122.136 mg
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0IRFH8311TRPBF
型号:IRFH8311TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.586226 |
10+: | ¥13.078158 |
100+: | ¥10.200469 |
500+: | ¥8.426636 |
1000+: | ¥6.652555 |
2000+: | ¥6.209036 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.59