货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.102554 | ¥7.10 |
10 | ¥6.131872 | ¥61.32 |
100 | ¥4.574045 | ¥457.40 |
500 | ¥3.593892 | ¥1796.95 |
1000 | ¥2.777099 | ¥2777.10 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 4.6 A
漏源电阻 93 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 4.9 nC
耗散功率 3.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 50 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 26 ns
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3476DV-T1-BE3
单位重量 20 mg
购物车
0SI3476DV-T1-GE3
型号:SI3476DV-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.102554 |
10+: | ¥6.131872 |
100+: | ¥4.574045 |
500+: | ¥3.593892 |
1000+: | ¥2.777099 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.10