货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.370348 | ¥12.37 |
10 | ¥11.083261 | ¥110.83 |
25 | ¥10.456877 | ¥261.42 |
100 | ¥8.157279 | ¥815.73 |
250 | ¥7.947913 | ¥1986.98 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 90 A
漏源电阻 8.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
耗散功率 126 W
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.1 mm
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK40E10N1,S1X
型号:TK40E10N1,S1X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.370348 |
10+: | ¥11.083261 |
25+: | ¥10.456877 |
100+: | ¥8.157279 |
250+: | ¥7.947913 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥12.37