货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥200.187391 | ¥200.19 |
10 | ¥184.022223 | ¥1840.22 |
25 | ¥176.391585 | ¥4409.79 |
100 | ¥152.55611 | ¥15255.61 |
250 | ¥147.789014 | ¥36947.25 |
500 | ¥138.253974 | ¥69126.99 |
1000 | ¥126.812266 | ¥126812.27 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 150 A
漏源电阻 8.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 254 nC
耗散功率 890 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 70 S
上升时间 32 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 187 ns
典型接通延迟时间 40 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH150N30X3
型号:IXFH150N30X3
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥200.187391 |
10+: | ¥184.022223 |
25+: | ¥176.391585 |
100+: | ¥152.55611 |
250+: | ¥147.789014 |
500+: | ¥138.253974 |
1000+: | ¥126.812266 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥200.19