货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥83.625188 | ¥83.63 |
10 | ¥75.059764 | ¥750.60 |
100 | ¥61.498572 | ¥6149.86 |
500 | ¥52.352556 | ¥26176.28 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 1.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 167 nC
耗散功率 277 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 30 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB180N08S4-02 SP000983458
单位重量 1.600 g
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0IPB180N08S402ATMA1
型号:IPB180N08S402ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥83.625188 |
10+: | ¥75.059764 |
100+: | ¥61.498572 |
500+: | ¥52.352556 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥83.63