货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.810647 | ¥2431.94 |
6000 | ¥0.761551 | ¥4569.31 |
15000 | ¥0.736933 | ¥11053.99 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 52.2 nC
耗散功率 3.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 40 ns
正向跨导(Min) 30 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 115 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
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0SI3493DDV-T1-GE3
型号:SI3493DDV-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.810647 |
6000+: | ¥0.761551 |
15000+: | ¥0.736933 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00