货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥16.572756 | ¥16.57 |
10 | ¥13.532341 | ¥135.32 |
100 | ¥10.526815 | ¥1052.68 |
500 | ¥8.922623 | ¥4461.31 |
1000 | ¥7.268462 | ¥7268.46 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 1.8 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 68 nC
耗散功率 57 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 70 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 13 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
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0SISS64DN-T1-GE3
型号:SISS64DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥16.572756 |
10+: | ¥13.532341 |
100+: | ¥10.526815 |
500+: | ¥8.922623 |
1000+: | ¥7.268462 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥16.57