SIS413DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIS413DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.783876 | ￥8.78 |
| 10 | ￥7.707142 | ￥77.07 |
| 100 | ￥5.913531 | ￥591.35 |
| 500 | ￥4.675287 | ￥2337.64 |
| 1000 | ￥3.740232 | ￥3740.23 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 9.4 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 73 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 50 S
上升时间 11 ns, 82 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns, 45 ns
典型接通延迟时间 11 ns, 55 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
SIS413DN-T1-GE3 同类别型号
注
SIS413DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIS413DN-T1-GE3
数据手册PDF。
SIS413DN-T1-GE3
型号：SIS413DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.783876 |
| 10+： | ￥7.707142 |
| 100+： | ￥5.913531 |
| 500+： | ￥4.675287 |
| 1000+： | ￥3.740232 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.78