货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥77.536208 | ¥77.54 |
10 | ¥69.646758 | ¥696.47 |
100 | ¥57.065518 | ¥5706.55 |
500 | ¥48.579095 | ¥24289.55 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 37 A
漏源电阻 69 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 129 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB60R080P7 SP001664898
单位重量 4 g
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0IPB60R080P7ATMA1
型号:IPB60R080P7ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥77.536208 |
10+: | ¥69.646758 |
100+: | ¥57.065518 |
500+: | ¥48.579095 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥77.54