货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.660735 | ¥7.66 |
10 | ¥6.721676 | ¥67.22 |
25 | ¥6.321342 | ¥158.03 |
100 | ¥5.157404 | ¥515.74 |
500 | ¥4.077488 | ¥2038.74 |
1000 | ¥3.26199 | ¥3261.99 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 9.4 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 73 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 50 S
上升时间 11 ns, 82 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns, 45 ns
典型接通延迟时间 11 ns, 55 ns
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
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0SIS413DN-T1-GE3
型号:SIS413DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.660735 |
10+: | ¥6.721676 |
25+: | ¥6.321342 |
100+: | ¥5.157404 |
500+: | ¥4.077488 |
1000+: | ¥3.26199 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.66