货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.55227 | ¥4656.81 |
6000 | ¥1.47059 | ¥8823.54 |
9000 | ¥1.36166 | ¥12254.94 |
30000 | ¥1.348143 | ¥40444.29 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8 nC
耗散功率 10 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 17 S
上升时间 10 ns, 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 15 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIS412DN-GE3
单位重量 1 g
购物车
0SIS412DN-T1-GE3
型号:SIS412DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.55227 |
6000+: | ¥1.47059 |
9000+: | ¥1.36166 |
30000+: | ¥1.348143 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00