货期: 8周-10周
起订量:2000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2000 | ¥7.580051 | ¥15160.10 |
6000 | ¥6.890954 | ¥41345.72 |
10000 | ¥6.572911 | ¥65729.11 |
50000 | ¥6.360881 | ¥318044.05 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 13.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0TK15S04N1L,LQ
型号:TK15S04N1L,LQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
2000+: | ¥7.580051 |
6000+: | ¥6.890954 |
10000+: | ¥6.572911 |
50000+: | ¥6.360881 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00