货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.081942 | ¥7.08 |
10 | ¥6.112834 | ¥61.13 |
100 | ¥4.235498 | ¥423.55 |
500 | ¥3.538735 | ¥1769.37 |
1000 | ¥3.011689 | ¥3011.69 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8 nC
耗散功率 10 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 17 S
上升时间 10 ns, 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 15 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIS412DN-GE3
单位重量 1 g
购物车
0SIS412DN-T1-GE3
型号:SIS412DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.081942 |
10+: | ¥6.112834 |
100+: | ¥4.235498 |
500+: | ¥3.538735 |
1000+: | ¥3.011689 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.08