货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥176.346242 | ¥176.35 |
10 | ¥162.64162 | ¥1626.42 |
100 | ¥138.885263 | ¥13888.53 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 49 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 240 nC
耗散功率 1.25 kW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 26 ns
正向跨导(Min) 50 S
上升时间 29 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 110 ns
典型接通延迟时间 36 ns
高度 26.59 mm
长度 20.29 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 PolarHV HiPerFET Power MOSFET
单位重量 1.600 g
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0IXFB100N50P
型号:IXFB100N50P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥176.346242 |
10+: | ¥162.64162 |
100+: | ¥138.885263 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥176.35