货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥200.874939 | ¥200.87 |
10 | ¥178.522959 | ¥1785.23 |
100 | ¥156.140977 | ¥15614.10 |
500 | ¥133.240377 | ¥66620.19 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 HiPerFET
栅极电压 - 20 V, + 20 V
配置 Single
下降时间 90 ns
漏极电流 115 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 680 W
漏源电阻 18 mOhms
上升时间 35 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 150 ns
典型接通延迟时间 30 ns
漏源击穿电压 200 V
栅源极阈值电压 5 V
高度 12.22 mm
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
产品种类 分立半导体模块
类型 PolarHT HiPerFET Power MOSFET
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 30 g
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0IXFN140N20P
型号:IXFN140N20P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥200.874939 |
10+: | ¥178.522959 |
100+: | ¥156.140977 |
500+: | ¥133.240377 |
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单价:¥0.00总价:¥200.87