NVMYS3D3N06CLTWG
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- 制造商编号：
- NVMYS3D3N06CLTWG
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- FET NCH 40V 123A
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥10.556366 | ￥31669.10 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 133 A
漏源电阻 3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 40.7 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 96 ns
正向跨导（Min） 130 S
上升时间 58 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 66 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 75 mg
NVMYS3D3N06CLTWG 同类别型号
注
NVMYS3D3N06CLTWG品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、NVMYS3D3N06CLTWG
数据手册PDF。
NVMYS3D3N06CLTWG
型号：NVMYS3D3N06CLTWG
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥10.556366 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00