货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.818495 | ¥6.82 |
10 | ¥6.009521 | ¥60.10 |
100 | ¥4.605373 | ¥460.54 |
500 | ¥3.640382 | ¥1820.19 |
1000 | ¥2.912306 | ¥2912.31 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 19.3 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 2 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 46 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
购物车
0SI2329DS-T1-GE3
型号:SI2329DS-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.818495 |
10+: | ¥6.009521 |
100+: | ¥4.605373 |
500+: | ¥3.640382 |
1000+: | ¥2.912306 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.82