货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥71.589678 | ¥71.59 |
10 | ¥60.085529 | ¥600.86 |
100 | ¥48.60877 | ¥4860.88 |
500 | ¥43.207297 | ¥21603.65 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 22 A
漏源电阻 99 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 110 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.5 ns
上升时间 8 ns
典型关闭延迟时间 54 ns
典型接通延迟时间 11.8 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB60R099C7 SP001297998
单位重量 4 g
购物车
0IPB60R099C7ATMA1
型号:IPB60R099C7ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥71.589678 |
10+: | ¥60.085529 |
100+: | ¥48.60877 |
500+: | ¥43.207297 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥71.59