货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.517892 | ¥4553.68 |
6000 | ¥1.419995 | ¥8519.97 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 2.6 A
漏源电阻 115 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 9.7 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN10H170SVTQ-7
型号:DMN10H170SVTQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.517892 |
6000+: | ¥1.419995 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00