货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥21.870156 | ¥21.87 |
10 | ¥19.571935 | ¥195.72 |
100 | ¥15.260922 | ¥1526.09 |
500 | ¥12.607342 | ¥6303.67 |
1000 | ¥10.556366 | ¥10556.37 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 133 A
漏源电阻 3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 40.7 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 96 ns
正向跨导(Min) 130 S
上升时间 58 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 66 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 75 mg
购物车
0NVMYS3D3N06CLTWG
型号:NVMYS3D3N06CLTWG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥21.870156 |
10+: | ¥19.571935 |
100+: | ¥15.260922 |
500+: | ¥12.607342 |
1000+: | ¥10.556366 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥21.87