货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥232.314758 | ¥232.31 |
10 | ¥206.462812 | ¥2064.63 |
100 | ¥180.576311 | ¥18057.63 |
制造商 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
商标 IXYS
商标名 HiPerFET
栅极电压 - 20 V, + 20 V
配置 Single
下降时间 255 ns
漏极电流 420 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 1.07 mW
漏源电阻 2.3 mOhms
上升时间 155 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 115 ns
典型接通延迟时间 47 ns
漏源击穿电压 100 V
栅源极阈值电压 2.5 V
产品种类 分立半导体模块
类型 GigaMos Trench HiperFet Power MOSFET
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 30 g
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0IXFN420N10T
型号:IXFN420N10T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥232.314758 |
10+: | ¥206.462812 |
100+: | ¥180.576311 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥232.31