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SQM110P06-8M9L_GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SQM110P06-8M9L_GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:800

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
800 13.544754 10835.80
1600 11.597698 18556.32
2400 10.920442 26209.06
5600 10.477044 58671.45

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 110 A

漏源电阻 7.1 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 200 nC

耗散功率 230 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 48 ns

上升时间 15 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 71 ns

典型接通延迟时间 15 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 4 g

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SQM110P06-8M9L_GE3

锐单logo

型号:SQM110P06-8M9L_GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

800+: ¥13.544754
1600+: ¥11.597698
2400+: ¥10.920442
5600+: ¥10.477044

货期:1-2天

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