CSD25213W10
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- 制造商编号：
- CSD25213W10
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
- 渠道：
- 自营digikey
库存 ：45
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥0.789259 | ￥0.79 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 67 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 850 mV
栅极电荷 2.2 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 970 ns
上升时间 520 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 1 us
典型接通延迟时间 510 ns
外形参数
高度 0.62 mm
长度 1 mm
宽度 1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.100 mg
CSD25213W10 同类别型号
注
CSD25213W10品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、CSD25213W10
数据手册PDF
。
CSD25213W10
型号：CSD25213W10
品牌：TI
供货：锐单
库存：45 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥0.789259 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.79