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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥46.166598 | ¥46.17 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 360 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 6 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 156.066 mg
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0FCMT360N65S3
型号:FCMT360N65S3
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥46.166598 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥46.17