货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
800 | ¥12.153038 | ¥9722.43 |
1600 | ¥10.311593 | ¥16498.55 |
2400 | ¥9.796036 | ¥23510.49 |
5600 | ¥9.427791 | ¥52795.63 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 163 A
漏源电阻 3.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 95.4 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
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0DMTH6004SCTBQ-13
型号:DMTH6004SCTBQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
800+: | ¥12.153038 |
1600+: | ¥10.311593 |
2400+: | ¥9.796036 |
5600+: | ¥9.427791 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00