货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥78.004099 | ¥78.00 |
10 | ¥65.505998 | ¥655.06 |
100 | ¥52.989206 | ¥5298.92 |
500 | ¥47.101267 | ¥23550.63 |
1000 | ¥40.330488 | ¥40330.49 |
2000 | ¥37.975536 | ¥75951.07 |
制造商 Infineon
商标名 DirectFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 67 A
漏源电阻 9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 97 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 0.74 mm
长度 9.15 mm
宽度 7.1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF7779L2TRPBF SP001572314
单位重量 176.520 mg
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0IRF7779L2TRPBF
型号:IRF7779L2TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥78.004099 |
10+: | ¥65.505998 |
100+: | ¥52.989206 |
500+: | ¥47.101267 |
1000+: | ¥40.330488 |
2000+: | ¥37.975536 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥78.00