货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥37.520131 | ¥37.52 |
10 | ¥31.178345 | ¥311.78 |
100 | ¥24.818873 | ¥2481.89 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 163 A
漏源电阻 3.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 95.4 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
购物车
0DMTH6004SCTBQ-13
型号:DMTH6004SCTBQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥37.520131 |
10+: | ¥31.178345 |
100+: | ¥24.818873 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥37.52