货期:国内(1~3工作日)
起订量:2000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2000 | ¥4.702917 | ¥9405.83 |
6000 | ¥4.478949 | ¥26873.69 |
10000 | ¥4.272208 | ¥42722.08 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 275 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.4 V
栅极电荷 47 nC
耗散功率 107 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 26 S
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0SQD10N30-330H_GE3
型号:SQD10N30-330H_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
2000+: | ¥4.702917 |
6000+: | ¥4.478949 |
10000+: | ¥4.272208 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00