货期:国内(1~3工作日)
起订量:250
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
250 | ¥9.840015 | ¥2460.00 |
500 | ¥8.609945 | ¥4304.97 |
1250 | ¥7.134011 | ¥8917.51 |
2500 | ¥6.642011 | ¥16605.03 |
6250 | ¥6.396011 | ¥39975.07 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 6.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 37 nC
耗散功率 3.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.2 ns
正向跨导(Min) 82 S
上升时间 5.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18.4 ns
典型接通延迟时间 6 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 NexFET Power MOSFET
单位重量 87.800 mg
购物车
0CSD19531Q5AT
型号:CSD19531Q5AT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
250+: | ¥9.840015 |
500+: | ¥8.609945 |
1250+: | ¥7.134011 |
2500+: | ¥6.642011 |
6250+: | ¥6.396011 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00