STT4P3LLH6
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- 制造商编号：
- STT4P3LLH6
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
- 渠道：
- digikey
库存 ：7924
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.339306 | ￥7.34 |
| 10 | ￥6.451486 | ￥64.51 |
| 100 | ￥4.949296 | ￥494.93 |
| 500 | ￥3.912323 | ￥1956.16 |
| 1000 | ￥3.229532 | ￥3229.53 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STT4P3LLH6
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
DeepGATE™, STripFET™ H6
零件状态
Active
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
56mOhm @ 2A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
6nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
639pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.6W (Ta)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
SOT-23-6
封装/外壳
SOT-23-6
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注
STT4P3LLH6品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
STT4P3LLH6
型号：STT4P3LLH6
品牌：ST
供货：锐单
库存：7924 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.339306 |
| 10+： | ￥6.451486 |
| 100+： | ￥4.949296 |
| 500+： | ￥3.912323 |
| 1000+： | ￥3.229532 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.34