TK12A50E,S5X
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- TK12A50E,S5X
- 制造商：
- Toshiba(东芝)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 500V TO220SIS
- 渠道：
- digikey
库存 ：153
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥23.229324 | ￥23.23 |
| 10 | ￥20.856968 | ￥208.57 |
| 25 | ￥19.675732 | ￥491.89 |
| 100 | ￥15.348653 | ￥1534.87 |
| 250 | ￥14.954743 | ￥3738.69 |
| 500 | ￥12.986922 | ￥6493.46 |
| 1000 | ￥11.019102 | ￥11019.10 |
| 2500 | ￥10.861686 | ￥27154.22 |
| 5000 | ￥10.074607 | ￥50373.04 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
TK12A50E,S5X
制造商
Toshiba(东芝)
商品描述
MOSFET N-CH 500V TO220SIS
包装
Tube
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
12A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
520mOhm @ 6A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1.2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
40nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1300pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
45W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220SIS
封装/外壳
TO-220-3 Full Pack
TK12A50E,S5X 同类别型号
注
TK12A50E,S5X品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TK12A50E,S5X
数据手册PDF。
TK12A50E,S5X
型号：TK12A50E,S5X
品牌：Toshiba
供货：锐单
库存：153 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥23.229324 |
| 10+： | ￥20.856968 |
| 25+： | ￥19.675732 |
| 100+： | ￥15.348653 |
| 250+： | ￥14.954743 |
| 500+： | ￥12.986922 |
| 1000+： | ￥11.019102 |
| 2500+： | ￥10.861686 |
| 5000+： | ￥10.074607 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥23.23