NTBS2D7N06M7
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- 制造商编号：
- NTBS2D7N06M7
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- NMOS D2PAK 60V 2.7 MOHM
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：800
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 800 | ￥16.732147 | ￥13385.72 |
| 1600 | ￥14.640629 | ￥23425.01 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 110 A
漏源电阻 2.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 110 nC
耗散功率 176 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
上升时间 52 ns
典型关闭延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 36 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
NTBS2D7N06M7 同类别型号
注
NTBS2D7N06M7品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、NTBS2D7N06M7
数据手册PDF。
NTBS2D7N06M7
型号：NTBS2D7N06M7
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 800+： | ￥16.732147 |
| 1600+： | ￥14.640629 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00