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IPB180N10S402ATMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPB180N10S402ATMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH TO263-7
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1000 27.207422 27207.42
2000 26.199752 52399.50

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 180 A

漏源电阻 2.5 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 156 nC

耗散功率 300 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 40 ns

上升时间 9 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 30 ns

典型接通延迟时间 15 ns

外形参数

高度 4.4 mm

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPB180N10S4-02 SP001057184

单位重量 1.600 g

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IPB180N10S402ATMA1

锐单logo

型号:IPB180N10S402ATMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1000+: ¥27.207422
2000+: ¥26.199752

货期:1-2天

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