货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥19.598969 | ¥19.60 |
10 | ¥16.076117 | ¥160.76 |
100 | ¥12.502406 | ¥1250.24 |
500 | ¥10.597337 | ¥5298.67 |
1000 | ¥8.632602 | ¥8632.60 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 275 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.4 V
栅极电荷 47 nC
耗散功率 107 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 26 S
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0SQD10N30-330H_GE3
型号:SQD10N30-330H_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.598969 |
10+: | ¥16.076117 |
100+: | ¥12.502406 |
500+: | ¥10.597337 |
1000+: | ¥8.632602 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.60