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SIR166DP-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIR166DP-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:345

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
345 1.389012 479.21
500 1.325924 662.96
1000 1.262754 1262.75

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET, PowerPAK

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 40 A

漏源电阻 3.2 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.2 V

栅极电荷 77 nC

耗散功率 48 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

外形参数

高度 1.04 mm

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SIR166DP-GE3

单位重量 506.600 mg

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SIR166DP-T1-GE3

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型号:SIR166DP-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

345+: ¥1.389012
500+: ¥1.325924
1000+: ¥1.262754

货期:1-2天

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