货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥40.694369 | ¥40.69 |
10 | ¥26.206562 | ¥262.07 |
100 | ¥17.982016 | ¥1798.20 |
500 | ¥14.464248 | ¥7232.12 |
1000 | ¥13.333833 | ¥13333.83 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.65 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 90 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 82 S
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 44 ns
典型接通延迟时间 17 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
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0SIR640ADP-T1-GE3
型号:SIR640ADP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥40.694369 |
10+: | ¥26.206562 |
100+: | ¥17.982016 |
500+: | ¥14.464248 |
1000+: | ¥13.333833 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥40.69