货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥0.881977 | ¥0.88 |
10 | ¥0.652461 | ¥6.52 |
30 | ¥0.610292 | ¥18.31 |
100 | ¥0.568122 | ¥56.81 |
500 | ¥0.549371 | ¥274.69 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 4.3 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 77 mS
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 251 ns
典型接通延迟时间 175 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 11 mg
购物车
0SSM3J35MFV,L3F
型号:SSM3J35MFV,L3F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥0.881977 |
10+: | ¥0.652461 |
30+: | ¥0.610292 |
100+: | ¥0.568122 |
500+: | ¥0.549371 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.88