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SSM3J35MFV,L3F

Toshiba(东芝)
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制造商编号:
SSM3J35MFV,L3F
制造商:
Toshiba(东芝)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 0.881977 0.88
10 0.652461 6.52
30 0.610292 18.31
100 0.568122 56.81
500 0.549371 274.69

规格参数

关键信息

制造商 Toshiba

商标名 MOSVI

商标 Toshiba

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 100 mA

漏源电阻 4.3 Ohms

栅极电压 - 10 V, + 10 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 -

耗散功率 150 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

正向跨导(Min) 77 mS

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 251 ns

典型接通延迟时间 175 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 11 mg

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SSM3J35MFV,L3F

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型号:SSM3J35MFV,L3F

品牌:Toshiba

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥0.881977
10+: ¥0.652461
30+: ¥0.610292
100+: ¥0.568122
500+: ¥0.549371

货期:1-2天

+ -

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