STD11N60M2-EP
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- 制造商编号：
- STD11N60M2-EP
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- N-CHANNEL 600 V, 0.550 OHM TYP.,
- 渠道：
- digikey
库存 ：6845
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.797559 | ￥13.80 |
| 10 | ￥12.304541 | ￥123.05 |
| 25 | ￥11.676443 | ￥291.91 |
| 100 | ￥8.757331 | ￥875.73 |
| 250 | ￥8.673929 | ￥2168.48 |
| 500 | ￥7.422881 | ￥3711.44 |
| 1000 | ￥6.04673 | ￥6046.73 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STD11N60M2-EP
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
N-CHANNEL 600 V, 0.550 OHM TYP.,
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
MDmesh™ M2-EP
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
7.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
595mOhm @ 3.75A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
12.4nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
390pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
85W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
STD11N60M2-EP 同类别型号
注
STD11N60M2-EP品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STD11N60M2-EP
数据手册PDF。
STD11N60M2-EP
型号：STD11N60M2-EP
品牌：ST
供货：锐单
库存：6845 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥13.797559 |
| 10+： | ￥12.304541 |
| 25+： | ￥11.676443 |
| 100+： | ￥8.757331 |
| 250+： | ￥8.673929 |
| 500+： | ￥7.422881 |
| 1000+： | ￥6.04673 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.80