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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥14.214036 | ¥14.21 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 75 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 3.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 69 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 44 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC042NE7NS3 G SP000657440
单位重量 121.700 mg
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0BSC042NE7NS3GATMA1
型号:BSC042NE7NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.214036 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.21