货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥19.758354 | ¥19.76 |
25 | ¥15.633617 | ¥390.84 |
100 | ¥13.401068 | ¥1340.11 |
500 | ¥11.911836 | ¥5955.92 |
1000 | ¥10.199493 | ¥10199.49 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 110 A
漏源电阻 8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 170 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 20.7 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFP064NPBF SP001554926
单位重量 6 g
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0IRFP064NPBF
型号:IRFP064NPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.758354 |
25+: | ¥15.633617 |
100+: | ¥13.401068 |
500+: | ¥11.911836 |
1000+: | ¥10.199493 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥19.76