SIHA6N80AE-GE3
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- 制造商编号：
- SIHA6N80AE-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET E SERIES THIN-LEAD TO-220
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥8.474378 | ￥8474.38 |
| 2000 | ￥8.35749 | ￥16714.98 |
| 5000 | ￥7.597718 | ￥37988.59 |
| 10000 | ￥7.247056 | ￥72470.56 |
| 25000 | ￥7.013279 | ￥175331.98 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 826 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 30 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导（Min） 1.9 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
SIHA6N80AE-GE3 同类别型号
注
SIHA6N80AE-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIHA6N80AE-GE3
数据手册PDF。
SIHA6N80AE-GE3
型号：SIHA6N80AE-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥8.474378 |
| 2000+： | ￥8.35749 |
| 5000+： | ￥7.597718 |
| 10000+： | ￥7.247056 |
| 25000+： | ￥7.013279 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00