货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥8.800173 | ¥26400.52 |
6000 | ¥8.469374 | ¥50816.24 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 1.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 155 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 190 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIR814DP-T1-GE3
单位重量 506.600 mg
购物车
0SIR470DP-T1-GE3
型号:SIR470DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥8.800173 |
6000+: | ¥8.469374 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00