SIHA6N80AE-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SIHA6N80AE-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET E SERIES THIN-LEAD TO-220
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥22.100697 | ￥22.10 |
| 10 | ￥19.763124 | ￥197.63 |
| 25 | ￥18.762925 | ￥469.07 |
| 100 | ￥14.072194 | ￥1407.22 |
| 250 | ￥13.938173 | ￥3484.54 |
| 500 | ￥11.92786 | ￥5963.93 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 826 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 30 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导（Min） 1.9 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
SIHA6N80AE-GE3 同类别型号
注
SIHA6N80AE-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIHA6N80AE-GE3、查询SIHA6N80AE-GE3代理商；
SIHA6N80AE-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SIHA6N80AE-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SIHA6N80AE-GE3
替代型号
、SIHA6N80AE-GE3
数据手册PDF。
SIHA6N80AE-GE3
型号：SIHA6N80AE-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥22.100697 |
| 10+： | ￥19.763124 |
| 25+： | ￥18.762925 |
| 100+： | ￥14.072194 |
| 250+： | ￥13.938173 |
| 500+： | ￥11.92786 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥22.10