货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥27.600885 | ¥27.60 |
10 | ¥24.797894 | ¥247.98 |
100 | ¥20.319543 | ¥2031.95 |
500 | ¥17.367106 | ¥8683.55 |
制造商 Infineon
商标名 StrongIRFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 295 A
漏源电阻 1.65 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 274 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 104 ns
正向跨导(Min) 242 S
上升时间 141 ns
典型关闭延迟时间 172 ns
典型接通延迟时间 52 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB7530PBF SP001575524
单位重量 2 g
购物车
0IRFB7530PBF
型号:IRFB7530PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥27.600885 |
10+: | ¥24.797894 |
100+: | ¥20.319543 |
500+: | ¥17.367106 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥27.60