货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.619548 | ¥7.62 |
10 | ¥6.661956 | ¥66.62 |
25 | ¥6.256267 | ¥156.41 |
100 | ¥4.540838 | ¥454.08 |
250 | ¥4.379387 | ¥1094.85 |
500 | ¥3.794123 | ¥1897.06 |
1000 | ¥3.22904 | ¥3229.04 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 51 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 32 ns
正向跨导(Min) 1.5 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RDD023N50
单位重量 330 mg
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0RDD023N50TL
型号:RDD023N50TL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.619548 |
10+: | ¥6.661956 |
25+: | ¥6.256267 |
100+: | ¥4.540838 |
250+: | ¥4.379387 |
500+: | ¥3.794123 |
1000+: | ¥3.22904 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.62