货期:国内(1~3工作日)
起订量:5
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
5 | ¥0.465069 | ¥2.33 |
50 | ¥0.374324 | ¥18.72 |
150 | ¥0.328951 | ¥49.34 |
500 | ¥0.294922 | ¥147.46 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 2.5 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 137 ns
正向跨导(Min) 120 mS
上升时间 62 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 325 ns
典型接通延迟时间 46 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RU1C001ZP
单位重量 6 mg
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0RU1C001ZPTL
型号:RU1C001ZPTL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
5+: | ¥0.465069 |
50+: | ¥0.374324 |
150+: | ¥0.328951 |
500+: | ¥0.294922 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00