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整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 826 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 30 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 1.9 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0SIHA6N80AE-GE3
型号:SIHA6N80AE-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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货期:1-2天
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