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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 1.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 89 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
正向跨导(Min) 150 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 0.7 mm
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF6726MTRPBF SP001528276
单位重量 500 mg
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0IRF6726MTRPBF
型号:IRF6726MTRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
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